磁控濺射技術的優缺點分析介紹
作者: 來源: 日(rì)期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1388
磁控濺射技術自誕生以(yǐ)來,得到(dào)了較快的(de)發展和較廣(guǎng)的應用,對其他鍍膜方法的發展產生了很大的(de)影響。通過大量的實踐,浦(pǔ)草莓污视频在线看真(zhēn)空總結(jié)出這種技(jì)術的優缺點,如下文(wén)所示。
優(yōu)點:
1.沉積速率高(gāo),襯底溫升低(dī),對薄膜損傷小;
2.對於大多數材料,隻要能(néng)製造出靶(bǎ)材,就可以實現濺射;
3.濺射得到的薄膜與基底結合良好;
4.濺射得到的(de)薄膜純度較高,密度好,均勻性(xìng)好;
5.結果表明,濺射工藝具有良好的重複性,在大(dà)麵積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜;
6.可以準確控製塗層厚度,通過改變參數來控製薄膜的粒徑;
7.不同的金屬、合金(jīn)和氧化物可以(yǐ)混合(hé),同時濺射在基體(tǐ)上;
8.易於工(gōng)業(yè)化。
但是磁控濺射也存在一(yī)些(xiē)問題
1.該技術所使用(yòng)的環形磁(cí)場(chǎng)迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此,由環形磁場控製的區域是(shì)等離子體(tǐ)密度較高的區域。在(zài)該技術中,我們可(kě)以看到濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒,形成(chéng)光暈(yūn)。光暈(yūn)下的靶是離子(zǐ)轟擊比較嚴重的部分,它會濺出一個圓形的(de)溝槽。環形磁場是電子運動的軌道,環形輝光和溝槽(cáo)生動地表(biǎo)現了這一點。靶材的濺(jiàn)射槽一旦穿透靶材,整個靶材就會報廢,靶(bǎ)材利用率不高,一般低於40%;
2.等(děng)離子體不穩定;
3.由於基本的磁通(tōng)量均不能通過磁性靶,所以在靶麵附近不可(kě)能產生外加(jiā)磁場。