物理氣相沉積介紹之真（zhēn）空卷繞鍍膜技（jì）術：
        真空（kōng）卷繞鍍膜(卷對卷)是在真空下應用不同方法在（zài）柔性（xìng）基體上實現連續鍍膜的一種技術（shù）。它涵蓋（gài）真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分析等多方麵內（nèi）容。其重（chóng）點是（shì），在保證鍍膜質量前提下提（tí）高卷（juàn）繞速率、控製鍍膜穩定性及實施在線監控。卷對卷技（jì）術成本低（dī）、易操作、與柔性基底相容、生產率高及可連續（xù）鍍多層膜等優點。第一（yī）台真空蒸發（fā）卷繞鍍膜機1935年（nián）製成，現可鍍幅寬由500至2500mm。卷對（duì）卷技術應用由（yóu）包裝（zhuāng）和裝飾（shì）用膜，近年逐（zhú）漸擴大至激光防（fáng）偽膜、導電等功能薄膜方（fāng）麵（miàn），是未來柔性電子等行業的主流技術之一。
        真空卷繞鍍膜係統按結構可分為單室（shì）、雙室和多室真空卷繞係統，後兩者可（kě）解決開卷放氣問題並分別控製卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張力控製分錐度、間接和直（zhí）接控製（zhì）模型，錐度控製（zhì）模型可解決（jué）薄膜褶皺和徑向力分布不（bú）均的問題；間接張力控製無需傳感器，可用內置（zhì）張力控製模塊的矢量變頻器代（dài）替；直接張力控製通過張力傳感器精確（què）測量張力值，但需慣性矩和角（jiǎo）速度等多種（zhǒng）參（cān）數。真空卷繞鍍膜（mó）主要有真（zhēn）空蒸發、磁控濺射等（děng）方式，可用於（yú）製備新型高折射率薄膜、石墨烯等納米材料和柔性太陽能電池等半導體器件（jiàn）。針對真空卷繞鍍膜技術研究現狀（zhuàng）及向產業化過渡存在的問題，最後作了簡要分析（xī）與展望。
        真空卷對卷設備由抽真（zhēn）空、卷繞、鍍膜和電氣控製等係統組成。真空卷繞鍍膜設備根據真空室有無擋板，可（kě）分單室、雙室和多室結構。單室的收放卷輥和鍍膜輥（gǔn）在同一室中（zhōng），結構簡單但開卷時放氣會汙染真空環境。雙室結（jié）構將（jiāng）係（xì）統用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題（tí）。多（duō）室常用於製備複（fù）合薄膜，在雙室基礎上將相（xiàng）鄰鍍膜區用（yòng）擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋（dǎng）板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗（tú）覆50μm的銅層。分隔擋板與真空室壁狹縫越小越好（hǎo）。據鍍膜時（shí）輥筒作用分為單主輥和多主輥（gǔn）卷繞鍍膜機。據電機個數，則可分（fèn）為（wéi）兩電機（jī）、三電機（jī）和四（sì）電（diàn）機驅動係統。

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