真(zhēn)空蒸鍍之工藝對比(bǐ)
作者: 來源: 日期:2020-09-02 11:14:18 人氣:182577
1. 電(diàn)阻蒸發源蒸鍍發
A. 加熱:高熔點金(jīn)屬做成適當形狀蒸發源,電(diàn)流(liú)通過直接加熱。
B. 優(yōu)點:結(jié)構簡單、造價便宜、使(shǐ)用(yòng)可靠
C. 缺(quē)點:所能到到的最高(gāo)溫度有限,加(jiā)熱器壽命較短
D. 適合:熔點不太高,尤其對膜層質量(liàng)要求(qiú)不大高的大(dà)批量生產。
2. 電子(zǐ)束蒸發源蒸鍍發
A. 蒸發材料放入冷水鉗(qián)鍋中,利用電子束(shù)加熱
B. 優(yōu)點:獲得更大能量密(mì)度,使高熔點材(cái)料蒸發且速度快,膜的純度較高,熱效率高。
C. 分類:環形槍,直(zhí)槍,e型槍和空心(xīn)陰極槍(qiāng)等幾種。
D. 適合:高熔點,純度要求高的材料。