直流磁控濺射： 直（zhí）流（liú）磁控濺射是在直（zhí）流二級濺射的基礎上（shàng），在靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜（mó），而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對於純金屬靶材的濺射，均采用直流磁控濺射，如濺（jiàn）射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物（wù）等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣（qì）體Ar2一起輸入（rù）到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到（dào）的塊材料製成靶材（cái）的鍍膜或（huò）陶（táo）瓷靶材在濺鍍後（hòu），薄膜成分易偏離（lí）原靶材成分，也可通過反應沉積來獲得改善（shàn）。