真空鍍膜就是置待鍍材料和被（bèi）鍍基板於（yú）真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料（liào），使之蒸發或升華，並飛行濺射到被鍍基板表麵凝聚成（chéng）膜（mó）的工藝。
    在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料（liào）的原子（zǐ）、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞，減少氣體中的（de）活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜（mó）過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致（zhì）密度、純度、沉積速率和與基板的（de）附著力。通常真空蒸鍍要求成（chéng）膜室內壓（yā）力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與（yǔ）基板距離較遠和薄膜質量（liàng）要求很高（gāo）的場合，則要求壓力更低。
    主要（yào）分為一下幾（jǐ）類：
    蒸（zhēng）發鍍（dù）膜、濺射鍍膜和離子鍍。
    蒸發鍍膜：通過加（jiā）熱蒸發某（mǒu）種物質使其沉積在固體（tǐ）表麵，稱為蒸發（fā）鍍膜。這種方法最早由（yóu）M.法拉第於1857年提出，現代已成（chéng）為常用鍍膜技術之一。
    蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為（wéi）蒸發源（yuán），待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待（dài）係統抽至高真空後（hòu），加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原（yuán）子（zǐ）或分子以冷凝方式沉積在基片（piàn）表麵。薄膜厚度可由數百（bǎi）埃至（zhì）數微米。膜厚決定於蒸（zhēng）發源的蒸發速（sù）率和時間（或決定於裝（zhuāng）料量），並與源和基片的距離有關。對於大麵（miàn）積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發（fā）源到基片的距離應小於蒸氣分（fèn）子在殘餘氣體（tǐ）中的平均自（zì）由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動（dòng）能約（yuē）為0.1～0.2電子伏。
    蒸發源（yuán）有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱（rè）在它上方的或置於（yú）坩堝（guō）中的（de）蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜設備示意圖]）電阻加熱源主要用於蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高頻（pín）感（gǎn）應電流加熱坩堝和（hé）蒸發物質。③電子束加熱源：適（shì）用於蒸發（fā）溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
   蒸發鍍（dù）膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積（jī）速率，可鍍製單質和不易熱分解的化合物膜。
   為沉積高純單晶膜（mó）層，可采用分子束外延方法（fǎ）。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置（zhì）如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到（dào）一定溫度時，爐中草莓污视频在线看素以（yǐ）束狀分子流射向（xiàng）基片。基片被（bèi）加（jiā）熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片（piàn）晶格次序（xù）生長結（jié）晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長（zhǎng）速度可控製在1單層／秒。通過控製擋板,可精確地做出（chū）所需成分和結構的（de）單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於（yú）製造各種（zhǒng）光集成器件和各種超晶（jīng）格結構薄膜。
   濺射鍍膜：用高（gāo）能粒子轟擊固體表麵時能使固體表麵的粒子獲（huò）得能量並逸出表（biǎo）麵（miàn），沉積（jī）在基片上。濺射現象於（yú）1870年開始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用（yòng）於工業生產。常（cháng）用的二極濺射設備如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉（chén）積（jī）的材料（liào）製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對（duì）靶麵的陽極（jí）上,距靶幾厘米（mǐ）。係（xì）統抽至高（gāo）真空後（hòu）充入 10-1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝（huī）光放電。放電產生的正（zhèng）離子在電場作用（yòng）下飛向陰極，與靶表麵（miàn）原子碰撞，受碰撞從靶麵逸出的靶原子稱為濺射原子,其能（néng）量在（zài）1至幾十電子伏範圍。濺（jiàn）射原子在（zài）基片表麵（miàn）沉積成膜。與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限製,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺（jiàn）射化（huà）合物膜可用反應濺射法，即將反應氣（qì）體（tǐ） (O、N、HS、CH等)加入Ar氣（qì）中,反應（yīng）氣體及其離子與靶原子或濺射原子發（fā）生（shēng）反應生（shēng）成化合物（如氧化物、氮化物（wù）等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射（shè）法。基片（piàn）裝在接地的電極上，絕緣靶裝（zhuāng）在對麵的電極上（shàng）。高頻電源一端接地，一端通過匹配網（wǎng）絡和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接（jiē）通高頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。等離子體（tǐ）中的（de）電子和正離子在電壓的正（zhèng）半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子，絕緣（yuán）靶表麵帶負電，在達到動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而（ér）使正離子對靶的濺射持（chí）續進行。采（cǎi）用磁控濺射可使沉積速率（lǜ）比非磁控濺射提高近一個數量級。
   離子鍍：蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在（zài）固體（tǐ）表麵（miàn），稱為離子鍍。這種技術是D.麥托克斯於1963年（nián）提出（chū）的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術（shù）的結合（hé）。一種離子鍍係統如圖4[離子鍍係統示意圖（tú）],將基片台作為陰極，外殼作陽極，充入惰（duò）性氣體（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區（qū）時發生電（diàn）離。正離子被基片台負電壓加速打到基片表麵。未電離的中性原子（約占蒸發料的95％）也沉積在基片或真空室壁表麵（miàn）。電場對離化的蒸氣（qì）分子的加速作用（離子能量約幾（jǐ）百～幾千電子伏）和氬（yà）離（lí）子（zǐ）對基片的濺射清洗作用，使膜層附（fù）著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率（lǜ））與（yǔ）濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並（bìng）有很好的繞射性（xìng），可為形狀複雜的工件鍍膜。

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